memristor

インダクタンスとキャパシタの双対性は、遥か昔に電流-電荷ペアと電圧-磁束ペアの双対性という捉え方で研究されていたようです。世の中頭のいい人がいるものです。
http://wiredvision.jp/news/200805/2008050123.html
Maxwellの方程式からは、電荷保存の法則I=dQ、ファラデーの法則V=dΦが導かれますが、他に現象論的物性として、抵抗RdI=dV、キャパシタ CdV=dQ、インダクタンスLdI=dΦが存在している。
ならば、MdΦ=dQなる物性（受動素子）が存在するはず、それをmemristorと名付けたそうです。
数学的にはなるほどですが、物理的にはアンペールの法則（電荷の移動と磁束の関係）の印象が強すぎて、電荷に比例する磁束というのは想像できません。
実際には、Mが一定だと、抵抗と等価になってしまうので、Mが変化する物性をmemristorして研究されたようです。
今回、それが実現できたとのことで、想像したものは現実になるというホモサピエンス固有の行動様式はまだまだ限界を知らないようです。